G5SBA80-E3/45
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division G5SBA80-E3/45
| Artikelnummer: | G5SBA80-E3/45 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.8A GBU |
| Datenblätte: |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division G5SBA80-E3/45 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments G5SBA80-E3/45.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Spitzensperr- (max) 800 V Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.05 V @ 3 A Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse GBU Serie - Verpackung / Gehäuse 4-SIP, GBU Paket Tube Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Diodentyp Single Phase Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 800 V Strom - Richt (Io) 2.8 A Grundproduktnummer G5SBA80 G5SBA80-E3/45 Einzelheiten PDF [English] G5SBA80-E3/45 PDF - EN.pdf -
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